IPD135N08N3G Splinternyt integreret kredsløb
Produktegenskaber
| TYPE | BESKRIVELSE |
| Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Mfr | Infineon teknologier |
| Serie | OptiMOS™ |
| Pakke | Tape & Reel (TR) |
| Produktstatus | Forældet |
| FET type | N-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metaloxid) |
| Dræn til kildespænding (Vdss) | 80 V |
| Strøm – Kontinuerligt dræn (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5V @ 33µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF ved 40 V |
| FET-funktion | - |
| Effekttab (maks.) | 79W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Leverandørenhedspakke | PG-TO252-3 |
| Pakke/etui | TO-252-3, DPak (2 afledninger + tabulator), SC-63 |
| Basisproduktnummer | IPD135N |
Dokumenter og medier
| RESSOURCETYPE | LINK |
| Dataark | IPD135N08N3G |
| Andre relaterede dokumenter | Varenummervejledning |
| Udvalgt produkt | Databehandlingssystemer |
| HTML dataark | IPD135N08N3G |
Miljø- og eksportklassifikationer
| EGENSKAB | BESKRIVELSE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (ubegrænset) |
| REACH-status | REACH upåvirket |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Yderligere ressourcer
| EGENSKAB | BESKRIVELSE |
| Andre navne | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Standard pakke | 2.500 |
En transistor er en halvlederenhed, der almindeligvis bruges i forstærkere eller elektronisk styrede kontakter.Transistorer er de grundlæggende byggesten, der regulerer driften af computere, mobiltelefoner og alle andre moderne elektroniske kredsløb.
På grund af deres hurtige responshastighed og høje nøjagtighed kan transistorer bruges til en lang række digitale og analoge funktioner, herunder forstærkning, switching, spændingsregulator, signalmodulation og oscillator.Transistorer kan pakkes individuelt eller i et meget lille område, der kan rumme 100 millioner eller flere transistorer som en del af et integreret kredsløb.
Sammenlignet med elektronrøret har transistoren mange fordele:
Komponent har intet forbrug
Uanset hvor godt røret er, vil det gradvist forringes på grund af ændringer i katodeatomer og kronisk luftlækage.Af tekniske årsager havde transistorer det samme problem, da de først blev lavet.Med fremskridt inden for materialer og forbedringer i mange aspekter holder transistorer typisk 100 til 1.000 gange længere end elektroniske rør.
Forbruger meget lidt strøm
Det er kun en tiendedel eller tiere af et af elektronrøret.Det behøver ikke at opvarme filamentet for at producere frie elektroner som elektronrøret.En transistorradio behøver kun et par tørre batterier for at lytte i seks måneder om året, hvilket er svært at gøre for rørradio.
Ingen grund til at forvarme
Arbejd, så snart du tænder den.For eksempel slukker en transistorradio, så snart den tændes, og et transistor-fjernsyn opretter et billede, så snart den tændes.Det kan vakuumrørsudstyr ikke.Efter opstarten, vent et stykke tid for at høre lyden, se billedet.Det er klart, at transistorer i militær, måling, optagelse osv. er meget fordelagtige.
Stærk og pålidelig
100 gange mere pålidelig end elektronrøret, stødmodstand, vibrationsmodstand, som er uforlignelig med elektronrøret.Derudover er transistorens størrelse kun en tiendedel til en hundrededel af elektronrørets størrelse, meget lidt varmeafgivelse kan bruges til at designe små, komplekse, pålidelige kredsløb.Selvom fremstillingsprocessen af transistor er præcis, er processen enkel, hvilket er befordrende for at forbedre installationstætheden af komponenter.
