AQX IRF7416TRPBF Ny og original integreret Circuit IC-chip IRF7416TRPBF
Produktegenskaber
| TYPE | BESKRIVELSE |
| Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Mfr | Infineon teknologier |
| Serie | HEXFET® |
| Pakke | Tape & Reel (TR) Skær tape (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET type | P-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metaloxid) |
| Dræn til kildespænding (Vdss) | 30 V |
| Strøm – Kontinuerligt dræn (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5,6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF ved 25 V |
| FET-funktion | - |
| Effekttab (maks.) | 2,5 W (Ta) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Leverandørenhedspakke | 8-SO |
| Pakke/etui | 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm bredde) |
| Basisproduktnummer | IRF7416 |
Dokumenter og medier
| RESSOURCETYPE | LINK |
| Dataark | IRF7416PbF |
| Andre relaterede dokumenter | IR varenummereringssystem |
| Produkttræningsmoduler | Højspændings integrerede kredsløb (HVIC Gate-drivere) |
| Udvalgt produkt | Databehandlingssystemer |
| HTML dataark | IRF7416PbF |
| EDA modeller | IRF7416TRPBF af Ultra Librarian |
| Simuleringsmodeller | IRF7416PBF sabel model |
Miljø- og eksportklassifikationer
| EGENSKAB | BESKRIVELSE |
| RoHS-status | ROHS3 kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (ubegrænset) |
| REACH-status | REACH upåvirket |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Yderligere ressourcer
| EGENSKAB | BESKRIVELSE |
| Andre navne | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Standard pakke | 4.000 |
IRF7416
Fordele
Plan cellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC standard
Silicium optimeret til applikationer, der skifter under <100KHz
Industristandard overflademonteret kraftpakke
Kan bølgeloddes
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET i en SO-8 pakke
Fordele
RoHS-kompatibel
Lav RDS (til)
Brancheførende kvalitet
Dynamisk dv/dt rating
Hurtigt skift
Fuldt lavinebedømt
175°C Driftstemperatur
P-kanal MOSFET
Transistor
En transistor er enhalvleder enhedplejedeforstærkeellerkontaktelektriske signaler ogstrøm.Transistoren er en af de grundlæggende byggesten i moderneelektronik.[1]Den er sammensat afhalvledermateriale, normalt med mindst treterminalertil tilslutning til et elektronisk kredsløb.ENspændingellernuværendepåført et par af transistorens terminaler styrer strømmen gennem et andet par terminaler.Fordi den kontrollerede (output) effekt kan være højere end den kontrollerende (input) effekt, kan en transistor forstærke et signal.Nogle transistorer er pakket individuelt, men mange flere findes indlejret iintegrerede kredsløb.
østrig-ungarsk fysiker Julius Edgar Lilienfeldforeslået begrebet enfelteffekt transistori 1926, men det var ikke muligt rent faktisk at konstruere en fungerende enhed på det tidspunkt.[2]Den første arbejdsanordning, der blev bygget, var enpunkt-kontakt transistoropfundet i 1947 af amerikanske fysikereJohn BardeenogWalter Brattainmens du arbejder underWilliam ShockleypåBell Labs.De tre delte 1956Nobelprisen i fysikfor deres præstation.[3]Den mest udbredte type transistor ermetal-oxid-halvleder felteffekt transistor(MOSFET), som blev opfundet afMohamed AtallaogDawon Kahngpå Bell Labs i 1959.[4][5][6]Transistorer revolutionerede elektronikområdet og banede vejen for mindre og billigereradioer,lommeregnere, ogcomputere, blandt andet.
De fleste transistorer er lavet af meget rensilicium, og nogle fragermanium, men visse andre halvledermaterialer bruges nogle gange.En transistor kan kun have én slags ladningsbærer, i en felteffekttransistor eller kan have to slags ladningsbærere ibipolær junction transistorenheder.Sammenlignet medvakuumrør, transistorer er generelt mindre og kræver mindre strøm for at fungere.Visse vakuumrør har fordele i forhold til transistorer ved meget høje driftsfrekvenser eller høje driftsspændinger.Mange typer transistorer er lavet til standardiserede specifikationer af flere producenter.
